石墨舟狀態(tài)對鍍膜均勻性的影響

將新石墨舟及使用超過3 年的舊石墨舟飽和后進行PECVD鍍膜，片間均勻性差異如圖7 所示。由圖7 可知，新石墨舟表面平整度好，石墨舟片導(dǎo)電性一致，薄膜分子可以均勻地沉積在硅片表面，片間均勻性更優(yōu)。圖8 為新石墨舟在使用周期內(nèi)的片間均勻性變化趨勢圖。

   新石墨舟飽和后在沉積時仍有部分等離子體在石墨舟片上沉積，運行次數(shù)小于30 次時，隨著運行次數(shù)的增加，石墨舟片上沉積的等離子體減少，片間均勻性越佳。運行次數(shù)大于30 次后，隨著使用次數(shù)的增加，石墨舟片內(nèi)壁與硅片接觸邊緣處薄膜變厚，電場反而變強，發(fā)生更多的等離子沉積，易出現(xiàn)不同程度的邊緣發(fā)白現(xiàn)象，導(dǎo)致片間均勻性逐次變差。

石金科技生產(chǎn)的PECVD石墨舟作為鍍膜最常用的工藝，被廣泛用于半導(dǎo)體、太陽能電池片的生產(chǎn)過程中。作為硅片的載體，石墨是最理想的材料，對表面鍍膜的均勻性、色差等產(chǎn)生至關(guān)重要的作用，要求其有高純度、耐腐蝕、極好的抗彎強度和良好的導(dǎo)電性能。

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